رقم القطعة للمصنع: MZ-76E4T0E سعة 4 تيرابايت الأبعاد: واجهة SATA 6 جيجابايت/ثانية مقاس 2.5 بوصة (متوافقة مع SATA 3 جيجابايت/ثانية وSATA 1.5 جيجابايت/ثانية) NAND فلاش Samsung V-NAND 3 بت MLC وحدة تحكم Samsung MJX كوحدة تحكم ذاكرة تخزين مؤقتة 4 جيجابايت من ذاكرة LPDDR4 الأداء المتسلسل أقصى سرعة للقراءة: 550 ميجابايت/ثانية أقصى سرعة للكتابة المتسلسلة: 520 ميجابايت/ثانية ما يصل إلى 10 آلاف IOPS لسرعة القراءة العشوائية 4K (QD1)؛ ما يصل إلى 42 ألف IOPS لسرعة الكتابة العشوائية 4K (QD1)؛ ما يصل إلى 98 ألف IOPS لسرعة القراءة العشوائية 4K (QD32)؛ وما يصل إلى 90 ألف IOPS لسرعة الكتابة العشوائية 4K (QD32). 1.5 مليون ساعة هو متوسط ​​الوقت بين الأعطال. الاعتمادية استهلاك الطاقة النشط القراءة/الكتابة: 4.0 وات كحد أقصى، 3.0 وات في المتوسط ​​(4 تيرابايت) الحد الأقصى للطاقة الخاملة: 0.5 وات (4 تيرابايت) وضع السكون للجهاز: 2 مللي وات (4 تيرابايت) صدمة 1500 جرام و0.5 مللي ثانية (نصف جيب) نطاق درجة حرارة التشغيل: من 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية قياسات العرض × العمق × الارتفاع: 3.94 ×