القدرات 2 512 جيجابايت و1024 جيجابايت و2048 جيجابايت و4096 جيجابايت وحدة التحكم Phison E18 NAND 3D TLC قراءة/كتابة متسلسلة عامل الشكل M.2 2280 الواجهة PCIe 4.0 x4 NVMe سرعة قراءة/كتابة عشوائية بدقة 4K 512 جيجابايت - 7000/3900 ميجابايت/ثانية 1024 جيجابايت - 7000/6000 ميجابايت/ثانية 2048 جيجابايت - 7000/7000 ميجابايت/ثانية 4096 جيجابايت - 7000/7000 ميجابايت/ثانية 1024 جيجابايت - حتى 900000/1000000 IOPS 2048 جيجابايت - حتى 1000000/1000000 IOPS 4096 جيجابايت - حتى 1,000,000/1,000,000 IOPS إجمالي البايتات المكتوبة (TBW) 1 512 جيجابايت - حتى 450,000/900,000 IOPS 1.6PBW، 4096 جيجابايت، 3.2PBW، 1024 جيجابايت، 800TBW، 2048 جيجابايت، و512 جيجابايت استخدام الطاقة 50 مللي واط في وضع الخمول، و0.34 واط في المتوسط، و2.7 واط (الحد الأقصى) للقراءة، و4.1 واط (الحد الأقصى) لسعة 512 جيجابايت التأليف 50 مللي واط في وضع الخمول، و0.33 واط في المتوسط، و2.8 واط (الحد الأقصى) للقراءة، و6.3 واط (الحد الأقصى) لسعة 1024 جيجابايت الكتابة 4096 جيجابايت - 50 مللي واط في وضع الخمول / 0.36 واط في المتوسط ​​/ 2.7 واط (الحد الأقصى) و2048 جيجابايت - 50 مللي واط خامل / 0.36 واط متوسط ​​/ 2.8 واط (الحد الأقصى) قراءة / 9.9 واط (الحد الأقصى). قراءة / 10.2 واط (الحد الأقصى) تكوين -40 درجة مئوية إلى 85 درجة مئوية هي درجة حرارة التخزين. 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية هي درجة حرارة التشغيل. القياسات: 80 × 22 ×